作为第三代半导体材料,碳化硅具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异特性。与传统硅材料比较,碳化硅器件能有效满足充电桩设备耐高压、耐高温、更小型化新型器件的需求,帮助实现新能源汽车快速充电的目标。此外,碳化硅还能提高单位功率密度,减小模块体积并简化电路设计,对降低充电桩成本起到重要作用。
作为第三代半导体材料,碳化硅具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优异特性。与传统硅材料比较,碳化硅器件能有效满足充电桩设备耐高压、耐高温、更小型化新型器件的需求,帮助实现新能源汽车快速充电的目标。此外,碳化硅还能提高单位功率密度,减小模块体积并简化电路设计,对降低充电桩成本起到重要作用。
精工会微信公众号
微信扫描关注